GlobalFoundries正式宣布7nm FinFET工艺

2016-09-17 09:58分享至

代工厂GlobalFoundries今天官方宣布了7nm FinFET半导体工艺规划，面向数据中心、网络、高级移动处理器、深度学习等领域。GF目前的主力性能工艺是14nm FinFET，但此前就披露下一步将跳过行业流行的10nm而直奔7nm，因为GF认为10nm和之前的20nm一样只是过渡工艺，7nm才是下一个高性能节点。原文链接

美运营商Sprint旗下首款联发科手机发布--LG X Power

美国电信运营商Sprint今天宣布推出LG X Power，也是Sprint旗下首款搭载联发科处理器（更准确的说是Helio P10）的智能手机。LG X Power并没有太多亮点，装备了分辨率为1920*1080的5.3英寸屏幕，16GB内置储存和2GB的内存，支持MicroSD卡扩展，4100mAh容量电池。

2016-09-17

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