三星被指盗取FinFET芯片专利技术将被起诉

2016-12-05 09:40分享至

韩媒称，韩国科学技术院(KAIST)计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。KAIST称，他们开发了10纳米FinFET工艺，但是三星窃取了这项技术，并将其用于生产高通骁龙835芯片。KAIST表示，英特尔已意识到他们才是FinFET技术的真正开发者，并取得了授权使用这项技术，但是三星并未这么做。KAIST还认为高通、台积电也侵犯了FinFET技术专利。原文链接

刘士余：深港通开通是两地市场进一步协同发展的历史性时刻

中国证监会主席刘士余今日早间在深交所举行的“深港通开通仪式”上表示，深港通开通是两地资本市场进一步协同发展的历史性时刻。他说，在沪港通成功试点的基础上开通深港通，是坚定不移推进中国金融对外开放的又一项重大决策，是2016年政府工作报告对全国人民的庄严承诺。

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