06月
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美国大学宣布重大突破，未来手机每年或只充4次电
近日，美国密歇根大学及康乃尔大学研究人员宣布研发出了一款全新磁电多铁性（Magnetoelectric Multiferroic）材料，未来可应用在处理器上。资料显示，这种材料主要是由原子薄层组成的磁极性薄膜，只需微小能量即可由正极转至负极。这种特性可应用在传输二进制代码，可以用来发送及接收各种数据。研究人声称其耗电量比起现在的处理器可减少99%。也就是说，未来手机三个月充一次电不是梦。原文链接
近日，美国密歇根大学及康乃尔大学研究人员宣布研发出了一款全新磁电多铁性（Magnetoelectric Multiferroic）材料，未来可应用在处理器上。资料显示，这种材料主要是由原子薄层组成的磁极性薄膜，只需微小能量即可由正极转至负极。这种特性可应用在传输二进制代码，可以用来发送及接收各种数据。研究人声称其耗电量比起现在的处理器可减少99%。也就是说，未来手机三个月充一次电不是梦。原文链接
