07月
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东芝3D闪存技术突破：容量轻松TB级、价格/功耗降低
东芝今天宣布全球首发了基于TSV（硅通孔）技术的3D闪存，依然基于自家BiCS架构的TLC。TSV是一种3D闪存“立体搭建”方案，这种通讯方式减少了漏电、更节省体积，相较传统的Wire Bond（金线键合）在单芯片封装后的功耗上极具优势。得益于TSV，东芝宣称可以做到最高48层堆叠，单芯片容量最高1TB（16die），接口速度1Gbps。东芝表示，原型产品已经在6月出货，成品将在下半年上市。原文链接
东芝今天宣布全球首发了基于TSV（硅通孔）技术的3D闪存，依然基于自家BiCS架构的TLC。TSV是一种3D闪存“立体搭建”方案，这种通讯方式减少了漏电、更节省体积，相较传统的Wire Bond（金线键合）在单芯片封装后的功耗上极具优势。得益于TSV，东芝宣称可以做到最高48层堆叠，单芯片容量最高1TB（16die），接口速度1Gbps。东芝表示，原型产品已经在6月出货，成品将在下半年上市。原文链接
