东芝通过硅穿孔技术来提升3D NAND效率

东芝 BiCS 3D TLC NAND 闪存所使用的硅穿孔（TSV）技术，东芝声称可减少存储应用的功耗，同时保障低延时、高吞吐、以及企业级 SSD 的每瓦特高 IOPS 。据外媒所述，这是当前业内首个推向市场的硅穿孔 NAND 闪存产品。该公司称，它已于上月向制造合作伙伴出货基于 TSV 技术的 BiCS 3D TLC 闪存芯片，预计样品可在年底前出货。此外东芝也将于 8 月第二周在圣克拉拉举办的“2017 闪存峰会上”展示相关原型。原文链接