09月
30
三星宣布11nm新工艺，7nm全面上极紫外光刻
今天，三星电子宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus)，并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。三星11LPP工艺不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL(后端工艺)，可以大大缩小芯片面积，另一方面则沿用14nm LPP工艺的部分元素。（快科技）原文链接
今天，三星电子宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus)，并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。三星11LPP工艺不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL(后端工艺)，可以大大缩小芯片面积，另一方面则沿用14nm LPP工艺的部分元素。（快科技）原文链接
