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中国科学家开发出新材料 有望将电子存储速度提高70倍左右

2017-11-10 17:23分享至
据新华社报道,中国科学家在最新一期美国《科学》杂志上发表报告说,已开发出一种新型相变材料,有望将电子产品的存储速度提高约70倍左右。相关成果由中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队取得。宋志棠等人利用含钪、锑、碲的合金材料制造出相变存储器单元(PCRAM),这一新材料的写入速度可达700皮秒(一皮秒相当于一万亿分之一秒)。目前可商用的相变存储器多使用锗、锑、碲合金材料,其写入速度极限约为50纳秒左右(1纳秒等于1000皮秒)。原文链接

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2017-11-10

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