三星开发出全球最小的DRAM芯片，速度提升10%

据路透社报道，三星电子表示，其已开发出全球最小的动态随机存取记忆体(DRAM)芯片，较竞争对手的技术领先优势扩大。三星电子称使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片，第二代10纳米级芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。“第二代”10纳米级8Gb DRAM芯片的功耗和数据处理性能均改善，将用于云计算中心、移动设备和高速显卡等高端数据处理电子产品。三星称，将在2018年把多数现有DRAM生产转为10纳米级芯片。（腾讯科技）原文链接