09月
21
消息称三星计划降低存储芯片产能增速，或推高芯片价格
据彭博社援引知情人士的话称，三星电子正计划降低存储芯片的产能增速，以在预期需求放缓之际维持供需平衡。知情人士称，三星此举将有助于维持或推高内存芯片的价格。据称，三星电子目前预计，DRAM内存的产能位元成长率将低于20%，NAND闪存的位元成长率将为30%。此前，该公司预计2018年DRAM内存和NAND闪存的位元成长率分别为20%和40%。（新浪）原文链接
据彭博社援引知情人士的话称，三星电子正计划降低存储芯片的产能增速，以在预期需求放缓之际维持供需平衡。知情人士称，三星此举将有助于维持或推高内存芯片的价格。据称，三星电子目前预计，DRAM内存的产能位元成长率将低于20%，NAND闪存的位元成长率将为30%。此前，该公司预计2018年DRAM内存和NAND闪存的位元成长率分别为20%和40%。（新浪）原文链接
