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台积电宣布EUV关键技术获重磅突破
台积电宣布了有关极紫外光刻(EUV)技术的两项重磅突破，一是首次使用7nm EUV工艺完成了客户芯片的流片工作，二是5nm工艺将在2019年4月开始试产。EUV是下一代光刻主流技术，可在大规模制造半导体时能够有效减少越来越高的成本和工艺复杂程度。（怀新投资）原文链接
台积电宣布了有关极紫外光刻(EUV)技术的两项重磅突破，一是首次使用7nm EUV工艺完成了客户芯片的流片工作，二是5nm工艺将在2019年4月开始试产。EUV是下一代光刻主流技术，可在大规模制造半导体时能够有效减少越来越高的成本和工艺复杂程度。（怀新投资）原文链接
