西电研发新一代通信芯片材料

西安电子科技大学芜湖研究院依托于西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，研发出全国产的基于碳化硅衬底的氮化镓材料，目前在国际第三代半导体技术领域处于领先水平，将助力5G通信制造领域的国产化进程。西电芜湖研究院技术总监陈兴表示，研究院目前已经掌握了氮化镓材料的生产和5G通信芯片的核心设计与制造能力，下一步他们将尽快将这项技术商用。（西安晚报）原文链接