05月
15
三星2021年将推芯片新技术 性能提高35%能耗降50%
5月15日，三星在于加州圣克拉拉举行的三星铸造论坛(Samsung Foundry Forum)上宣布，一项名为“3纳米环绕栅极”(gate all around，GAA)的技术能够对芯片核心晶体管进行重新设计和改造，三星将于2021年向市场推出一项突破性的处理器技术，对最基本的电子元件进行根本性改造，使芯片性能提高35%，同时使能耗降低50%。（网易科技）原文链接
5月15日，三星在于加州圣克拉拉举行的三星铸造论坛(Samsung Foundry Forum)上宣布，一项名为“3纳米环绕栅极”(gate all around，GAA)的技术能够对芯片核心晶体管进行重新设计和改造，三星将于2021年向市场推出一项突破性的处理器技术，对最基本的电子元件进行根本性改造，使芯片性能提高35%，同时使能耗降低50%。（网易科技）原文链接
