01月
02
李在镕：三星计划利用世界上第一个3纳米工艺制造芯片
据外媒报道，周四，三星电子事实上的领导者李在镕开始大谈该公司利用世界上第一个3纳米工艺技术制造尖端芯片的战略计划。李在镕参观了该公司位于京畿道华城的半导体研发中心。三星公司称，这位三星继承人称，该公司计划采用正在开发的最新3纳米全栅极（gate-all-around，简称GAA）工艺技术来制造尖端芯片，并提供给全球客户。（腾讯科技）原文链接
据外媒报道，周四，三星电子事实上的领导者李在镕开始大谈该公司利用世界上第一个3纳米工艺技术制造尖端芯片的战略计划。李在镕参观了该公司位于京畿道华城的半导体研发中心。三星公司称，这位三星继承人称，该公司计划采用正在开发的最新3纳米全栅极（gate-all-around，简称GAA）工艺技术来制造尖端芯片，并提供给全球客户。（腾讯科技）原文链接
