闪存芯片的挑战者：ReRAM存储芯片以千分一的能耗提供超百倍的存取速度

Resistive RAM（
ReRAM）是基于最常见的硅氧化物开发的新型内存芯片。当电压变化时，它的电阻会发生改变，并且在即使断电的情况下也能记住这种改变。同时与现有闪存技术相比，ReRAM能够显著增加存储容量。

这种技术由伦敦大学学院的研究团队开发，它是一种有着新型结构的硅氧化物，能够更有效地实现电阻改变。在这种材料中，硅原子在固体氧化硅表面形成薄膜，使得电阻更低，而有或没有这种薄膜表示从一个状态到另一个状态的切换。

ReRAM芯片不像其它氧化硅芯片那样需要真空工作环境，因此它的制造成本更低，并且更耐用。此外，该设计还可能为触摸屏与移动设备制作出透明记忆芯片。

伦敦大学学院的电子和电气工程博士托尼·凯尼恩（Tony Kenyon）表示：“与目前的标准闪存芯片相比，ReRAM记忆芯片只需千分之一的能耗，同时可获得超过百倍的存取速度。”该技术在记忆存储领域有着广阔的前景，该团队也在探索将其用于计算机处理器方向的可能性。