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富士康可能寻求软银帮助拿下东芝闪存
据日经新闻最新报道称，目前富士康正在寻求日本软银的帮助，以完成对东芝芯片业务的收购。报道称，有了软银的帮助，富士康将能够与日本多家银行以及交易相关公司进行谈判。2016年富士康收购夏普时，也是软银董事长兼总裁孙正义在富士康和日本各银行之间搭桥牵线，这次应该也一样。
2017-04-17
SK海力士成功研发72层堆叠闪存：TB级SSD/手机来了
PC明星产品固态硬盘的发展速度依然激进，SK海力士今天宣布，已经成功研发出72层堆叠、单晶片容量256Gb的3D TLC闪存芯片。由此，SK海力士成为业界第一，领先三星和东芝的64层。于是，一片封装完成的闪存芯片的最高容量将达到512GB，只需要两颗芯片，就能造出单面1T、双面2T的M.2 SSD，且成本更低。
如不出意外的话，SK海力士在Q4将把单晶片容量做到翻番。另外，除了SSD，SK海力士称，相关芯片也会用于智能手机。根据Gartner的统计，SK海力士是DRAM世界第二、闪存世界第五，他们已经向东芝报价，希望拿下后者欲出售的闪存股份。
2017-04-10
台积电为3D NAND闪存，加入争抢东芝芯片业务行列
据来自行业信息源的消息称，苹果供应商台积电正打算通过投资东芝闪存业务进军3D NAND闪存领域。台积电还希望成功劝说东芝在台湾建立3D NAND闪存工厂，为其提供包括降低当地生产成本等支持。信息源已确定台积电是东芝优先选择的几个竞标者之一，因为该半导体企业符合诸多条件，比如并未涉足NAND闪存芯片制造，而且不需要政府基金来进行风险投资。台积电也不可能窃取东芝的专利内存技术和知识产权，或者霸占新公司的所有权和管理权。
2017-03-02
东芝欲出售闪存公司半数股权，苹果也加入竞购行列
据外媒报道，由于美国核电业务减记而面临巨大亏损，东芝计划将闪存业务剥离并成立一家新公司，并有意出售新成立的闪存芯片子公司50%以上的股权。目前该子公司的估值约176亿美元，外部投资者需要投入近90亿美元才能获得半数以上的股权。目前有意的公司不在少数，包括微软、富士康、西部数据、台积电、韩国海力士等，而东芝闪存业务的大客户苹果也加入了竞购行列。
2017-02-23
东芝出货 64 层堆叠闪存：普及 TB 级 SSD
据外媒报道，东芝今天宣布出货 BiCS FLASH 3D 闪存，采用 64 层堆叠，单晶粒容量 512Gb(64GB，TLC）, 相对于上一代 48 层 256Gb，容量密度提升了 65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到 960GB。换句话说，只需要两颗芯片，就能造出近 2TB 容量的单面 M.2 SSD，而且成本更低。不过，目前，64 层 3D 闪存（512Gb）仍是试样出货，但 64 层（256Gb）已量产。
2017-02-23
美光宣布3D闪存产量超越2D 第二代量产
美光近日宣布，旗下3D立体堆叠的NAND闪存在产量输出上已经首次超越传统的2D平面型闪存，标志着一个新时代的到来。值得一提的是，美光这里说的产量并非晶圆数量，而是闪存容量。美光2D MLC/TLC闪存使用16nm工艺，单颗最大容量128Gb(16GB)，3D MLC/TLC则分别可达256/384Gb(32/48GB)，很容易超越前者。
2016-12-14
东芝首发15nm eMMC闪存：速度提升140%
今日，东芝美国电子元件公司正式公布了新一代e-MMC和UFS嵌入式存储解决方案，进一步壮大了旗下NAND产品阵容。新的“Supreme +”e-MMC（JEDEC版本5.1）和UFS（JEDEC版本2.1），其集成控制器技术，能显著改进读写速度。据了解，这样的设计能节省空间，而且减轻了主处理器的存储管理负担，包括坏块管理，错误校正，损耗均衡和垃圾收集。
2016-10-27
东芝推出中端入门级A100 SSD新品 采用自家新主控
东芝在柏林消费电子展推出了A100系列2.5英寸SSD新品。其采用了SATA 6Gbps接口、15nm TLC闪存、以及自家的TC58NC1010新主控。作为全球闪存巨头之一，东芝的SSD似乎没有赢得主流市场的太多关注。去年的时候，该公司将Q系列分成了标准版和专业版（Pro），区别就是一个用了TLC闪存、另一个用了MLC闪存。
2016-09-01
三星将推100层以上堆叠的1TB级闪存
据韩国媒体报道，基于第四代V-NAND闪存的三星固态硬盘将在今年第四季度上市，但具体产品不详。2013年，三星全球第一家量产了3D NAND，第一代24层，第二代增加到32层，当前的第三代为48层。东芝、美光近来积极布局3D立体堆叠的NAND闪存架构，东芝已经做到64层，让三星方面倍感压力。统筹三星半导体部门的金奇南社长还透露：“预计在不久的将来，三星将会推出100层以上堆叠的1TB等级的闪存产品。”
2016-08-14
东芝发布新一代64层BiCS闪存芯片
东芝已经将其3D闪存堆叠到了更高的层次，并携手西部数据（此前收购了东芝合作伙伴SanDisk）宣布了第三代BiCS闪存芯片。新款TLC闪存维持了相同的 256Gb容量，但层数已经从前代的48提高到了64层。在适当的时候，该公司还会推出单颗512Gb（64GB）的芯片。除了预期的密度增加（晶圆容量），高堆叠还有其它益处，比如成本效益。
2016-07-28
三星或重回苹果闪存零部件供应商名单
4 月 21 日，根据来自韩国媒体 ETNews 给出的最新消息显示，三星或将在不久的未来重新向苹果 iPhone 供应 NAND 闪存零部件。三星在多年就一直是苹果的 NAND 零部件主要供应商，但却在四年前将这一业务拱手让给了 SK海力士、东芝和尔必达这些厂商。主要原因是苹果从 iPhone 5 开始，要求用于 iPhone 的 NAND Flash 封装必须要有防电磁波干扰(Electro Magnetic Interference)遮蔽技术，而当时三星电子无法满足苹果的规格要求。据悉，三星目前正在和美国以及台湾供应商合作开发一种能够符合苹果标准的杜绝电磁干扰喷涂工艺，并且已开始在位于中国西安的芯片工厂中测试其 NAND 闪存芯片的稳定性和耐用性。
2016-04-21
闪存存储厂商Memblaze完成数千万美元 C 轮融资
闪存存储厂商Memblaze于近日宣布完成C轮融资。据悉，本次融资由通用创投管理的基金和Qualcomm Incorporated的投资部门Qualcomm Ventures共同投资，融资金额达数千万美元。Memblaze成立于2011年，Memblaze在国内的客户包括百度、奇虎360、腾讯等互联网公司。此外，在海外市场方面，Memlaze在北美和欧洲相继组建了办事处及业务拓展渠道，在日韩、东南亚建立了较为成熟的分销体系。据Memblaze公司CEO 殷雪冰表示，本轮融资后，公司将在技术研发，人才招聘和国际市场开发，销售渠道方面进行投入。
2015-12-21
紫光否认收购东芝闪存业务
紫光股份证券部相关人士接受《证券日报》记者采访时对该消息进行否认，其表示：“紫光方面未有对东芝和SanDisk闪存业务的收购计划，但紫光并购计划仍将持续。
2015-10-12
闪存技术公司Crossbar获得D轮融资3500万美元
成立于2008年，总部设立与加州圣克拉拉的Crossbar致力于开拓新一类的非挥发性电阻RAM（RRAM）内存技术，提供能够存储太字节（TB）邮票大小的存储器。此轮融资由Tyche Partners领投，其他投资方为Artiman Ventures、CBC Capital、Cheerful Link Ventures、Correlation Ventures、Kleiner Perkins Caufield & Byers、Korea Investment Partners、Northern Light Venture Capital、Oriza Holdings、SAIF Partners、TAO Investments和University of Michigan。
2015-09-16
混合闪存制造商 Tintri 宣布获 1.25 亿美元 F 轮融资
Tintri 是一家专门为虚拟化环境提供数据储存设备的智能混合闪存制造公司。其产品采用反复数据删除、压缩、闪存技术来提高硬件在虚拟机中的运行效率。CEO Ken Klein 透露，该公司将在明年上半年启动 IPO。
2015-08-06
英特尔与美光合作研发新一代闪存技术
据介绍，这项名为 "3DXPoint" 的技术将实现千倍于现有 NAND 存储的传输速率。目前有关新产品售价和成本的信息尚不明确，官方文章中只提及将会在今年晚些时候试产以供合作伙伴测试。
2015-07-29
