将250小时电影放在邮票大小的电路上，RRAM会是下一代存储技术么？
闪存技术无疑是存储行业的主流。尽管现在所有的闪存阵列都代表顶尖的优化技术，并且会继续蓬勃发展一段时间。但如果我们面对庞大规模的SAN和NAS组成的数据仓库时，闪存存储并不是这些应用的最佳选择。
面对每天产生的海量数据，势必需要一种新的存储方式。
Crossbar RRAM技术被普遍认为极有可能取代当前，非易失性内存技术的有力竞争者。
Crossbar技术可在一个200平方毫米的芯片上存储数个TB的数据，例如将250小时的高清电影，存储在比邮票还小的集成电路上，并进行回放。
凭借简单的三层结构、堆叠性和CMOS兼容性、Crossbar能在最新的技术节点下，将逻辑和存储集成到单芯片上，实现传统或其他非易失性内存技术无可比拟的存储容量。Crossbar拥有大容量和快速的优势，或成为下一代企业和数据中心存储系统的选择。
RRAM 提供用于MCU、SoC和FPGA的低迟滞、高性能、低功耗嵌入式存储器，面向低功耗和安全的物联网、可穿戴和平板电脑、消费电子、工业和汽车电子市场。Crossbar技术能够实现极高密度的存储解决方案，包括：
在单芯片上实现太字节（terabyte）存储
比DRAM高40倍的密度，并具备最高的性能和可靠性
100倍更快的读取速度
比NAND快1,000倍的写入速度
比NAND高1,000倍的耐久性
支持高温环境，可用于数据中心和移动设备
Crossbar技术应用包括：
消费电子、手机、平板电脑 — 将你所有个人娱乐、数据、照片和信息存储到口袋大小的设备中。提供快速存储，回放，备份和归档。
企业存储、SSD和云计算 — 拓展SSD的可靠性和容量。提升企业、数据中心和云存储系统的性能。
物联网；工业互联网 — 为工业和连接应用程序，诸如智能电表和恒温器提供长达数年的电池寿命。拥有较大温度范围，使其能在极端炎热的夏天和寒冷的冬天保持稳定。支持全新、高集成的SoC，可由纽扣电池供电或通过太阳能、热能以及简单震动获取电能。
可穿戴计算 — 支持新一代可穿戴计算，能在非常紧凑的尺寸和低功耗情况下，实现高容量存储。
安全支付 — 能够永久存储安全应用所需的密码和加密密钥，覆盖从大容量智能卡，到用于非接触支付的高端移动处理器。
Crossbar的全球投资者包括：Artiman、Correlation Ventures、凯鹏华盈（KPCB）、Tyche Partners、TAO Capital Partners、密歇根大学；在中国投资者包括： CBC宽带资本、元禾控股、北极光创投、赛富和Korea Investment Partners Co., Ltd。
2016年3月22日Crossbar公司宣布正式进军中国市场，并在上海设立新的办事处。
